Научный журнал
Научное обозрение. Технические науки
ISSN 2500-0799
ПИ №ФС77-57440

О РАСПРЕДЕЛЕНИИ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ ПО ПЛОЩАДИ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР INGAASSB/GASB

Гаврушко В.В. 1 Григорьев А.Н. 2
1 ФГОУ ВПО «Новгородский государственный университет имени Ярослава Мудрого» Великий Новгород
2 ЗАО «Планета- АРГАЛ» Великий Новгород
При изготовлении фотодиодов на основе гетероэпитаксиальных структур с хорошими электрическими характеристиками наблюдался низкий процент выхода годных изделий из-за брака по фотоэлектрическим параметрам. В работе представлены результаты исследования распределения фоточувствительности по площади для структур InxGa1-xAsySb1-y/GaSb при значениях х=0,18 и у=0,17. Эпитаксиальные структуры были получены методом жидкофазной эпитаксии. Приведено описание установки и методика измерения, основанная на использовании эталона сравнения. Для исключения паразитных фото ЭДС, связанных с наличием широкозонной подложки, в установке использован германиевый фильтр. На пластинах обнаружены явно выраженные области с высокой и низкой фоточувствительностью. Разброс значений чувствительности в разных частях пластины достигал 3 крат. Оценки абсолютных значений токовой чувствительности для лучших образцов оказались близкими к предельно возможным. Предлагаемая установка и методика исследований может быть успешно использована для отработки технологии жидкофазной эпитаксии и оценки качества пластин при их поставке потребителю.

Библиографическая ссылка

Гаврушко В.В., Григорьев А.Н. О РАСПРЕДЕЛЕНИИ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ ПО ПЛОЩАДИ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР INGAASSB/GASB // Научное обозрение. Технические науки. – 2014. – № 1. – С. 112-112;
URL: https://science-engineering.ru/ru/article/view?id=140 (дата обращения: 29.03.2024).

Предлагаем вашему вниманию журналы, издающиеся в издательстве «Академия Естествознания»
(Высокий импакт-фактор РИНЦ, тематика журналов охватывает все научные направления)

«Фундаментальные исследования» список ВАК ИФ РИНЦ = 1,674