В данной работе изучено влияние кристаллической структуры и размеров различных металлических контактов на электрофизические свойства кремниевых диодов Шоттки. Приведены результаты авторов данной работы и других авторов по изменению свойств кремниевых диодов Шоттки в зависимости от выбранного металлического состава – никель-титан, свинец-сурьма, алюминий-никель и других в качестве металлического контакта. Показано, что кристаллическая структура этих пленок имеет при этом большое значение. При рентген анализе исследуемых контактных материалов – Ni-Ti; Pb-Sb; Al-Ni, … установлено, что основные металлические сплавы при определенной пропорции компонентов системы имеют аморфную структуру, а остальные металлические пленки – поликристаллическую. Показано, что термоотжиг влияет на ход процесса кристаллизации. Определены основные параметры и характеристики исследуемых кремниевых диодов Шоттки в зависимости от состава, размеров и кристаллической структуры исследуемых пленок. Исследованы вольт-ампер характеристики некоторых составов при малых прямых напряжениях. Определены деградации свойства этих составов. Выяснены причины появления избыточного тока и других эффектов вблизи температуры кристаллизации. Для основных металлических составов определены также высота потенциального барьера и коэффициент не идеальности при переходе из аморфного состояния в поликристаллическое.
In the given activity influence of crystal structure and the sizes of various metal contact pieces on electrophysical properties of silicon diodes Shottki is studied. Results of authors of the given activity and other authors on change of properties of silicon diodes Shottki depending on the chosen metal structure – nickel-the titan, lead-antimony, aluminium-nickel and others as metal contact piece are resulted. It is shown that the crystal structure of these films has thus great value. At a roentgen the analysis of investigated contact materials – Ni-Ti; Pb-Sb; Al-Ni, … it is established that the main metal alloys at a certain proportion of components of system have amorphous structure, and other metal films – polycrystalline. It is shown that the thermoannealing influences a course of process of crystallisation. Critical parametres and characteristics of investigated silicon diodes Shottki depending on structure, the sizes and crystal structure of investigated films are determined. Are investigated volt – of amperes of the characteristic of some structures at small direct pressure. Degradations of property of these structures are determined. The reasons of occurrence of a superfluous current and other effects near to crystallisation temperature are found out. For the main metal structures the altitude of a potential barrier and factor not idealities are determined also at transition from an amorphous condition in the polycrystalline.
1. Wickenden D.K. et al. Solid State Electron. – 1984. – №27. – Р. 515.
2. Аскеров Ш.Г., Болтовец Н.С., Пашаев И.Г., Асланов Ш.С. Электронная техника // Микроэлектронные устройства. Сер.10. – 1988. – №2(68). – С. 39.
3. Cole M.J. et al. Elect. Left. – 1983. – №19. – Р. 474.
4. Tung R.T. J.V.S. and Tech. – 1984. – №2(3). – Р. 465.
5. Золотухин И.В., Калинин Ю.Е. Аморфные металлические металлы // УФЖ. – 1990. – Т. 160, №9. – С. 75.
6. Аскеров Ш.Г., Пашаев И.Г. Тез. докл. Международная конференция Fizika – 2005. Азербайжан. – 2005. – № 49. – С. 193.
7. Askerov Sh.C., Pashaev I.G. 2 nd Int. Conference (Tabriz-Iran 2004). – 2004. – Р. 367.
8. Гипье А. Рентгенография кристаллов. – М., 1961.
9. Судзуки K., Хасимото К., Фудзимори Х. Аморфные металлы / под ред. Ц. Масумота; пер. с японского. – М.: Металлургия, 1987.
10. Иващенко А.И., Саморуков Б.Е., Соломанов А. // ФТП. – 1979. – №4. – С. 770.
11. Золотухин И.В. // Соросовский образовательный журнал. – 1997. – №4. – С. 74.
12. Аскеров Ш.Г. Автореферат докторской диссертации. – Баку, 1992. – С. 41.
13. Комар В.К. и др. // ФТП. – 2007. – №6. – С. 711.
14. Пенин Н.А. // ФТП. – 2000. – №5. – С. 562.
15. Тонкие пленки. Взаимная диффузия / под ред. Дж. Поута, К. Ту, Дж. Мейеру. – М.: Мир, 1982. – 576 с.
16. Золотухин И.В., Соколов Н.Ю. Электронная техника // Микроэлектроника. – 1989. – №1. – С. 23.
17. Kung K.T.Y. et al. // Appl. Phys. Lett. – 1984. – №55. – Р. 3882.
18. Finetti M., Pan E.T.S., Suni I., Nigolet M.A. // Appl. Phys. Lett. – 1983. – №42, 11. – Р. 987.
19. Tod G., Naris P.G., Scoby I.H., Kelly M.Q. Solid State Elektron. – 1984. – №27, 6. – Р. 507.
20. Smid V., Kazak S., Juri J. // J. of. Non-Cryat.Sulids. – 1987. – №90. – Р. 347.
21. Takatani S., Natsuoka N., Shigeta J., Hashimoto N. // J.Appl.Phys. – 1987. – №61, 1. – Р. 220.
22. Wiley J.W., Perepererko J.H., Nordman J.K. IEEE Transactions on Industrial Electronics. – 1982. – №29, 2. – Р. 154.
23. Novak W., Keukelaer R., Weng W. // J.Vac.Sel.Technol. – 1985. – №3, 6. – Р. 2242.
24. Suruki K. // J.Jap.J.Appl.Phys, рt.2. – 1983. – № 11. – Р. 709.
25. Крылов П.Н. // Физика. – 2006. – №4. – С. 125.
26. Крылов П.Н. // ФТП. – 2000. – №3. – С. 306.
27. Гурбанов А.А. Дис. … кан. физ.-мат. наук. – Баку, 1998. – С. 143.
28. Пашаев И.Г. // Вестник Бакинского Университета. – 1999. – №1. – С. 68.
29. Пашаев И.Г. // Вестник Бакинского Университета. – 1999. – №3. – С. 94.
30. Аскеров Ш.Г., Пашаев И.Г., Мехтиев Р.Ф. // Вестник Бакинского Университета. – 2006. – №1. – С. 79.
31. Аскеров Ш.Г., Мехтиев Р.Ф., Пашаев И.Г. // Вестник Бакинского Университета. – 2006. – №3. – С. 162.
32. Аскеров Ш.Г., Пашаев И.Г., Мехтиев Р.Ф. // Вестник Бакинского Университета. – 2007. – №2. – С. 135.
33. Аскеров Ш.Г., Мехтиев Р.Ф., Пашаев И.Г. // Вестник Бакинского Университета. – 2008. – №3. – С. 141.
34. Pashaev I.G. // Technical and Physical Problems of Engineering (IJTPE). – 2012. – Iss. 10. – Vol. 4. – № 1, Mar. – Р. 41-44.
35. Аскеров Ш.Г., Асланов Ш.С., Пашаев И.Г. Электронная техника // Микроэлектронные устройства. Сер. 10. – 1989. – Т. 6, №78. – С. 46.
36. Аскеров Ш.Г., Асланов Ш.С., Пашаев И.Г. Тезисы докладов Всесоюзной конференции “Физика и применение контакта металл-полупроводник”. – Киев, 1987. – С. 16.
37. Пашаев И.Г. // Физика. – Баку АН. – 1997. – Т. 3, № 4. – С. 64.
38. Пашаев И.Г. // ФТП. – 2013. – Т. 47, № 6. – С. 761-764.
39. Пашаев И.Г. // Инженерная физика. – 2012. – № 3. – С. 12-17.
40. Пашаев И.Г. // Инженерная физика. – 2012. – № 4. – С. 34-39.
41. Пашаев И.Г // ФТП. – 2012. –Т. 46, № 8. – Р. 1108-1111.
42. Пашаев И.Г. Альтернативный киловатт // Солнечный Энергетика. – 2012. – №1. – С. 28-30.
43. Пашаев И.Г. // Международный журнал экспериментального образования. – 2013. – №1. – С. 71-74.
44. Пашаев И.Г. // Международный журнал прикладных и фундаментальных исследований. – 2013. – №1. – С. 31-35.