science-review.ru
Гаврушко В.В.
1
Григорьев А.Н.
2
1 ФГОУ ВПО «Новгородский государственный университет имени Ярослава Мудрого» Великий Новгород
2 ЗАО «Планета- АРГАЛ» Великий Новгород
При изготовлении фотодиодов на основе гетероэпитаксиальных структур с хорошими электрическими характеристиками наблюдался низкий процент выхода годных изделий из-за брака по фотоэлектрическим параметрам. В работе представлены результаты исследования распределения фоточувствительности по площади для структур InxGa1-xAsySb1-y/GaSb при значениях х=0,18 и у=0,17. Эпитаксиальные структуры были получены методом жидкофазной эпитаксии. Приведено описание установки и методика измерения, основанная на использовании эталона сравнения. Для исключения паразитных фото ЭДС, связанных с наличием широкозонной подложки, в установке использован германиевый фильтр. На пластинах обнаружены явно выраженные области с высокой и низкой фоточувствительностью. Разброс значений чувствительности в разных частях пластины достигал 3 крат. Оценки абсолютных значений токовой чувствительности для лучших образцов оказались близкими к предельно возможным. Предлагаемая установка и методика исследований может быть успешно использована для отработки технологии жидкофазной эпитаксии и оценки качества пластин при их поставке потребителю.
232 KB
Библиографическая ссылка
Гаврушко В.В., Григорьев А.Н. О РАСПРЕДЕЛЕНИИ ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ ПО ПЛОЩАДИ ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СТРУКТУР INGAASSB/GASB // Научное обозрение. Технические науки. 2014. № 1. С. 112-112;URL: https://science-engineering.ru/ru/article/view?id=140 (дата обращения: 19.05.2025).